原子層淀積高介電常數(shù)柵介質(zhì)HfO-,2-反應(yīng)機理的密度泛函理論研究.pdf

1、復(fù)旦大學(xué)博士后學(xué)位論文原子層淀積高介電常數(shù)柵介質(zhì)HfO反應(yīng)機理的密度泛函理論研究姓名：任杰申請學(xué)位級別：博士后專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：張衛(wèi)20060601Ge(100)21表面距離的增加，導(dǎo)致表面的差異對H20的吸附?jīng)]有明顯的影響。另外，我們也考察了ALD過程的反應(yīng)溫度對氧化物薄膜生長的影響，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，隨著溫度的增加，將導(dǎo)致化學(xué)吸附態(tài)的不穩(wěn)定，直接導(dǎo)致吸附化合物的解吸附。對于HfCI。在A1203表面的反應(yīng)，因為活化能明顯高

2、于反應(yīng)物的總能量，所以溫度增加容易使HfCI。吸附化合物向反應(yīng)物方向解吸附，不利于反應(yīng)向產(chǎn)物方向進(jìn)行；而對于AI(CH3)3在Hf02表面的反應(yīng)，正好相反，增加反應(yīng)溫度有利于反應(yīng)向產(chǎn)物方向進(jìn)行。最后值得一提的是，本報告對于HfCl4在A1203、AI(CH3)3在Hf02，HfCl4和H20在單羥基化Si(100)21表面反應(yīng)，都使用比較小的簇模型進(jìn)行了內(nèi)稟反應(yīng)坐標(biāo)(IRC)研究，進(jìn)一步確認(rèn)了計算得到的過渡態(tài)是正確連接反應(yīng)物與產(chǎn)物的反應(yīng)