TMS對字母工作記憶影響的研究.pdf

1、本文通過磁刺激作用接受字母工作記憶任務受試者的腦部位，探測磁刺激對字母工作記憶產生的影響。
　　 本文用心理學實驗軟件E-Prime設計字母工作記憶任務，采用TMS精確導航定位系統(tǒng)對刺激點精確定位，前三組實驗分別改變磁刺激三項參數(shù)對受試者施加磁刺激，并記錄行為學數(shù)據(jù)。三項參數(shù)包括刺激的部位，刺激的時間及刺激的頻率。第四組實驗在5Hz高頻重復磁刺激和無磁刺激兩種條件下記錄完成字母工作記憶受試者的腦電信號并對腦電信號進行特征分析。<

2、br>　　 行為學數(shù)據(jù)分析結果表明影響受試者字母工作記憶的主要時間點在受試者休息的間歇6s內，主要部位在受試者的左側前額葉背外側，高頻磁刺激與無刺激相比反應時間明顯縮短。對腦電信號進行特征提取，用相干疊加平均提取事件相關電位的P300潛伏期，在5Hz高頻磁刺激下，受試者的P300潛伏期縮短，P300潛伏期表征受試者接受字母刺激到做出反應的時限縮短，說明高頻磁刺激興奮了受試者字母工作記憶的主要部位，在此基礎上為了揭示腦區(qū)之間的信息傳遞過

3、程，對腦電信號進行了時頻分析和相干分析，發(fā)現(xiàn)磁刺激施加后，小寫字母出現(xiàn)后0到500ms時段，β波段的能量顯著提高，高能量集中在α波段的時間變長，β波在額葉與頂葉比較明顯，說明施加磁刺激后，受試者的額葉活動增加，磁刺激激活了受試者的額葉部位。對比ITC觀察兩種條件下的鎖相關系發(fā)現(xiàn)β波段在施加刺激之后ITC值變小，說明此時鎖相關系變弱，能量在腦額葉及枕葉分布有所變化。施加磁刺激的被試在小寫字母出現(xiàn)后的300ms到500ms范圍內β波段相干增