850nm高亮度半導(dǎo)體激光器腔面膜的設(shè)計(jì)與制備.pdf_第1頁(yè)
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1、850nm高亮度半導(dǎo)體激光器是以AlGaAs晶體的(110)自然解理面作為諧振腔。本論文采取在芯片的前端面鍍?cè)鐾改?、后端面鍍制高反射膜的方法，以獲得高的閾值增益、降低閾值電流、提高量子效率和激光器的輸出功率。采用吸收小，散射少的薄膜材料設(shè)計(jì)介質(zhì)膜堆，使得后腔面反射率為97﹪，前腔面反射率約為3.2﹪。此時(shí)，器件的外微分量子效率從鍍膜前的49.8﹪提高到鍍膜后的89.76﹪，功率效率從25.6﹪提高到40.2﹪。最高輸出功率達(dá)到3.6W，

2、與未鍍膜的器件相比提高了2.5～3.1倍。與此同時(shí)，鍍制的膜層保護(hù)了器件端面，防止氧化和水蒸氣的侵蝕。 為了改善高亮度半導(dǎo)體激光器的散熱問(wèn)題和有效提高激光器芯片的光學(xué)災(zāi)變損傷閾值(COD)，本論文中的半導(dǎo)體激光器芯片采取大光腔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，并采取了無(wú)電流注入和透明窗口結(jié)構(gòu)。 該實(shí)驗(yàn)采用的設(shè)備是Denton Integrity-36全自動(dòng)真空鍍膜機(jī)，利用電子束蒸發(fā)離子輔助進(jìn)行沉積鍍膜，采用UV-3100PC分光光度計(jì)測(cè)試光譜特

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