熱載流子壽命在溫度效應下DC與AC相關性的研究.pdf

1、隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的進一步發(fā)展，MOS器件的集成度不斷提高，器件的尺寸不斷減小。在MOS器件的尺寸不斷減小的同時，器件的工作電壓卻沒有等比減小，這就使器件的溝道區(qū)電場大幅度提高。載流子在溝道區(qū)高電場的作用下獲得足夠的能量翻越界面勢壘注入到柵氧化層中，在界面產生界面態(tài)或被柵氧化層中的陷阱俘獲，界面態(tài)和氧化物電荷的增加使器件的特性發(fā)生退變如閾電壓漂移、跨導下降、輸出特性曲線下移等。因此，熱載流子效應逐漸成為影響集成電路進一步發(fā)展的

2、主要因素之一。 本文著重從熱載流子在不同溫度條件下器件退化速度不同的特性及使用可靠性模型兩方面開展理論和實驗研究，主要內容包括： (1)分析比較了N型場效應晶體管在不同溫度和不同應力條件下熱載流子效應的變化。 (2)設計并建立了具有兩個緩沖器和一個觸發(fā)器連接的一個由CMOS反相器組成的23*26級環(huán)型振蕩器電路來作為器件交流情況的應力測試，并在不同溫度和不同應力條件下進行可靠性測試，對結果進行分析。 (3