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1、 本文圍繞SOI高壓器件的耐壓?jiǎn)栴},從理論模型和器件結(jié)構(gòu)兩方面展開(kāi)創(chuàng)新研究。首次提出了兩項(xiàng)耐壓理論:S-RESURF(SingleREducedSURfaceField)高壓器件全域耐壓模型和D-RESURF(DoubleREducedSURfaceField)高壓器件統(tǒng)一耐壓模型,設(shè)計(jì)了兩種新結(jié)構(gòu)器件:埋氧層固定電荷結(jié)構(gòu)和局域電荷槽結(jié)構(gòu),并進(jìn)行了部分實(shí)驗(yàn)?! 身?xiàng)耐壓理論: 1)提出均勻、階梯和線性漂移區(qū)的SOIS-RESUR
2、F高壓器件全域耐壓模型,導(dǎo)出包含耗盡區(qū)電荷共享效應(yīng)與埋氧層電場(chǎng)調(diào)制效應(yīng)的SOIS-RESURF判據(jù)?! ?)提出均勻、階梯和線性摻雜SOID-RESURF高壓器件二維耐壓解析模型,構(gòu)成了系統(tǒng)的SOID-RESURF統(tǒng)一耐壓理論,并首次給出了普適于所有雙層漂移區(qū)器件的SOID-RESURF判據(jù)?! 蓚€(gè)新結(jié)構(gòu): 1)提出SOI的縱向耐壓新理論——INBOLF(INcreasedBuriedOxideLayerField)理論,及基
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