傾斜表面SOI橫向高壓器件的工藝與特性研究.pdf

1、VLT技術(shù)是一種可以同時(shí)大幅度改善擊穿電壓和降低導(dǎo)通電阻的新技術(shù)，但其難點(diǎn)在于從工藝上如何制造從源到漏逐漸變化的漂移區(qū)厚度。本文針對該問題開展深入研究。
　　 首先，研究了基于多窗口反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)的傾斜表面制備方法。分別建立了單窗口和多窗口刻蝕輪廓的數(shù)學(xué)模型，確定了用于優(yōu)化窗口寬度、間距和數(shù)目的數(shù)值算法，并編制了實(shí)現(xiàn)該算法的MATLAB程序。最后把程序計(jì)算結(jié)果代入Silvaco TCAD工具，進(jìn)行工藝仿真，獲得了較為理想的表面

2、平整的傾斜表面。
　　 其次，研究了基于多窗口各向異性濕法刻蝕技術(shù)的傾斜表面制備方法。分別建立了單窗口和多窗口刻蝕輪廓的數(shù)學(xué)模型，確定了用于優(yōu)化窗口寬度、間距和數(shù)目的數(shù)值算法，并編制了實(shí)現(xiàn)該算法的MATLAB程序。最后把程序計(jì)算結(jié)果代入Silvaco TCAD工具，進(jìn)行工藝仿真，也獲得了較為理想的表面平整的傾斜表面。
　　 再次，進(jìn)行了VLT SOI LDMOS工藝設(shè)計(jì)與優(yōu)化。提出了一種制造VLT漂移區(qū)結(jié)構(gòu)SOI LDM

3、OS的CMOS兼容工藝，并利用Silvaco TCAD仿真軟件對工藝條件和工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。該工藝方案僅需一張附加掩膜版就可以形成任意形狀的VLT表面，為制造具有VLT結(jié)構(gòu)的SOI LDMOS提供了一種成本低、效率高、效果好的新方法。
　　 最后，研究了VLT SOI LDMOS的工作特性。首先建立了導(dǎo)通電阻的數(shù)學(xué)模型，并借助該模型和Silvaco TCAD工具,對VLT SOI LDMOS的導(dǎo)通電阻、擊穿電壓以及器件的輸