6H-SiC單晶電參數(shù)的紅外光譜研究.pdf

1、文中首先概要介紹了碳化硅材料的性質(zhì)及其生長(zhǎng)方法，進(jìn)而給出了遠(yuǎn)紅外光譜的物理圖像和理論擬合光譜的公式推導(dǎo)，最后對(duì)傅立葉變換光譜的原理進(jìn)行了說(shuō)明，并對(duì)實(shí)驗(yàn)儀器作了簡(jiǎn)要介紹。 基于上述理論，采用紅外光譜的無(wú)損表征技術(shù)，對(duì)國(guó)產(chǎn)的n型6H-SiC的電學(xué)參數(shù)進(jìn)行了研究，測(cè)試所用的樣品均是國(guó)內(nèi)采用籽晶升華法(PVT)生長(zhǎng)的SiC單晶。首先用霍爾效應(yīng)測(cè)量方法對(duì)樣品進(jìn)行了測(cè)試，在測(cè)試過(guò)程中，采用了Au/Ni代替Ni來(lái)制備歐姆接觸電極，這在一定程度

2、上解決了使用純鎳制作歐姆接觸中遇到的兩個(gè)問(wèn)題。通過(guò)霍爾測(cè)試，獲得了SiC材料的導(dǎo)電類型、電阻率、載流子濃度和遷移率。然后，針對(duì)SiC材料中振子和聲子的特性，用紅外反射法對(duì)其遠(yuǎn)紅外的反射光譜進(jìn)行測(cè)量和理論分析，提出了一種介電函數(shù)模型，并利用這一模型對(duì)SiC的反射光譜進(jìn)行理論計(jì)算和擬合。結(jié)果發(fā)現(xiàn)理論能夠跟實(shí)驗(yàn)擬合的很好。從中獲得了SiC光學(xué)聲子和等離子激元的一些基本信息，并由此得到了其載流子濃度和遷移率。最后將紅外反射法得到的結(jié)果與傳統(tǒng)的H