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1、該文討論了n型6H-SiC歐姆接觸的制備工藝及其基本電學(xué)及熱學(xué)特性,并在此基礎(chǔ)上采用金屬Au及Ni在n型6H-SiC硅面(0001晶向)上制備了具有一定特性的肖特基勢壘二極管.通過氫氣處理6H-SiC表面并鍍鋁后直接形成的歐姆接觸室溫比電阻率達(dá)到8×10<'-3>Ω·cm<'2>,溫度不超過400℃時該接觸具有較好的穩(wěn)定性,其歐姆特性不依賴于襯底的摻雜濃度,是一種適宜在低摻雜襯底特別是SiC外延片上制備歐姆接觸的有效方法.XPS譜表明,
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