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文檔簡介
1、腔內(nèi)電阻抗成像(ElectricalImpedanceEndotomography,EIE)技術(shù)是將附著有電極的導(dǎo)管直接插入到組織器官內(nèi)進(jìn)行電流的注入和電壓的測量,并根據(jù)測得的結(jié)果重建目標(biāo)內(nèi)部的電阻抗分布情況。由于電極位于被測組織內(nèi)部,因此EIE對組織內(nèi)部阻抗分布的成像敏感性優(yōu)于普通EIT。
本論文首先對腔內(nèi)電阻抗成像的研究背景和意義進(jìn)行了簡要介紹并對研究概況進(jìn)行了綜述。接著,對EIE場域進(jìn)行了數(shù)學(xué)描述,建立了二維圓域模型和三
2、維圓柱模型,并利用有限元法對EIE正問題進(jìn)行了計(jì)算。進(jìn)而,對基于敏感矩陣法的阻抗成像方法進(jìn)行了研究。針對二維和三維仿真模型進(jìn)行了逆問題仿真研究,分別采用截?cái)嗥娈愔捣纸夥ǎ═SVD)和Tikhonov正則化法對敏感矩陣進(jìn)行求逆。結(jié)果表明,基于敏感矩陣法的成像技術(shù)可以進(jìn)行腔內(nèi)電阻抗成像,能夠找到病灶區(qū)域。最后,對提高圖像分辨率的方法進(jìn)行了研究。研究了EIE激勵(lì)模式和局灶未定系統(tǒng)解(FocalUndeterminedSystemSolutio
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