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1、負電子親和勢砷化鎵(GaAs)光電陰極具有量子效率高,暗發(fā)射小,發(fā)射電子能量分布及角分布集中,長波閾可調(diào),長波響應(yīng)擴展?jié)摿Υ蟮葍?yōu)點,由于其優(yōu)越的性能,在近幾十年中取得了迅猛發(fā)展,并在微光夜視領(lǐng)域得到了普遍應(yīng)用。 在GaAs光電陰極的研究中,能否建立有效嚴格的監(jiān)測系統(tǒng)將對GaAs光電陰極的研究進展產(chǎn)生重要影響。本文正是從這一原因入手結(jié)合項目開展了GaAs光電陰極表面光電壓測試技術(shù)的研究,主要內(nèi)容如下: 首先,介紹GaAs光
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