亞90納米CMOS器件PSP建模技術(shù)和參數(shù)提取的研究.pdf

1、隨著高密度整合所產(chǎn)生的系統(tǒng)復(fù)雜性的提高,在超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中,一種帶有精確器件模型的有效電路仿真器變得越來越不可或缺。對(duì)于所有在一個(gè)大范圍的器件上操作的模型,必須有一個(gè)完整的器件模型能夠預(yù)知器件的特性。雖然以BSIM4為代表的半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ屯耆Ａ袅宋锢砟Ｐ偷幕竟δ苄问?而且用帶有擬和參數(shù)的經(jīng)驗(yàn)公式來代替經(jīng)典公式從而解決了小的幾何效應(yīng)和二次工藝誤差。但是隨著器件尺寸朝著90nm,甚至更小尺寸發(fā)展時(shí),BSIM4模型已經(jīng)無(wú)法處理日益增加的

2、模擬和射頻電路的應(yīng)用。因此需要有更先進(jìn)的建模解決方案---基于表面勢(shì)的PSP模型。本論文基于90nm工藝的電性數(shù)據(jù),針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)CMOS器件的物理效應(yīng),通過以下工作來對(duì)PSP模型建模技術(shù)和參數(shù)提取進(jìn)行新的探索。首先,概述了CMOS器件的基本物理效應(yīng),與此同時(shí),對(duì)一些新近發(fā)現(xiàn)的物理效應(yīng)進(jìn)行重點(diǎn)介紹。其次,對(duì)PSP模型理論進(jìn)行歸納研究,為接下來的參數(shù)提取建立一個(gè)理論基礎(chǔ)。另外在本文中還會(huì)討論測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及數(shù)據(jù)測(cè)試的內(nèi)容,這對(duì)于建立一個(gè)完整、準(zhǔn)