CMOS集成電路抗輻射加固工藝技術(shù)研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，具有高速信號處理能力和強(qiáng)的抗輻射能力的計算機(jī)及控制部件已成為通信衛(wèi)星、氣象衛(wèi)星、航天飛行器、現(xiàn)代武器等系統(tǒng)的核心部分。因此，發(fā)展具有高速度、強(qiáng)抗輻照能力的集成電路技術(shù)是電子信息產(chǎn)業(yè)和國防裝備系統(tǒng)的關(guān)鍵。 當(dāng)前，在集成電路芯片制造中，體硅CMOS半導(dǎo)體工藝技術(shù)仍占據(jù)主導(dǎo)地位，因此，對CMOS集成電路進(jìn)行加固研究就顯得十分必要。由于抗輻照加固技術(shù)屬于軍用技術(shù)范疇，它具有高度的保密性，因此抗輻照加固工藝必須依靠

2、自己的力量，從基礎(chǔ)工藝出發(fā)進(jìn)行研究。 用在空間中的電路會受到各種射線的影響，要產(chǎn)生電離輻照效應(yīng)和單粒子效應(yīng)等。本文第一部分主要講述了CMOS電路的電離輻射效應(yīng)主要介紹了界面態(tài)的產(chǎn)生，并詳細(xì)分析了輻射感生陷阱電荷的產(chǎn)生過程。并根據(jù)上述原理指導(dǎo)下確定了工藝、設(shè)計兩方面的抗輻照加固方法，分別介紹了柵氧化層加固，源漏制備技術(shù)加固，鈍化層加固，場區(qū)加固，以及柵氧后高溫的影響。 第二部分主要講述了 CMOS 集成電路的單粒子效應(yīng)。主