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文檔簡介
1、HF/HNO3/H2O 體系廣泛應用于微電子加工及太陽能制絨過程，硅在此體系中的反應非常復雜而且反應速度比較難控制。本文主要研究了硅在此體系中的反應規(guī)律，并采用一種新型添加劑NH4F 用于控制反應速度。首先，研究了硅片在不同的溫度下、不同配比的HF/HNO3酸溶液中腐蝕速度變化的規(guī)律。隨著HF：HNO3比例的增加，反應速度先增加后減小。隨著溶液溫度的增加，反應速度迅速上升，而且反應中產(chǎn)生大量的熱，導致溶液反應溫度迅速上升，反應速度難以控
2、制。在了解整體反應規(guī)律的基礎上，選出一組反應速度較低的酸腐蝕溶液，加入水控制反應速度，研究硅片在此體系中的腐蝕反應過程，考察反應速度，反應后溫度以及反應前后溶液中成分的變化。隨著腐蝕反應的進行，可分五個反應階段，反應速度隨時間的變化規(guī)律是腐蝕生成熱、體系與外界熱交換及溶液中氟離子濃度共同作用的結果。隨后，對整個腐蝕過程中硅片表面的形貌和反射率的變化進行了理論分析。研究了一種新型的添加劑氟化銨對HF/HNO3/H2O 體系中硅片的腐蝕反應
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