ZAO靶材及薄膜的研究.pdf

1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文ZAO靶材及薄膜的研究姓名：柯文明申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：李晨輝20080703華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文II氧空位是靶材低電阻率的主要原因。粉末分布越窄，團(tuán)聚體顆粒越細(xì)小，燒結(jié)時(shí)氣孔越少，也越小，晶粒也較為細(xì)小，所制備得到靶材的致密度越高，缺陷越少，電阻率越低。對(duì)比試驗(yàn)表明通過(guò)直接沉淀法，蒸餾水洗滌并真空冷凍干燥得到的球形納米ZnO最適合用于制備高致密度、低電阻率ZAO靶材。通過(guò)直流磁控濺射法制備

2、了厚度均勻、電阻率為~104Ωcm數(shù)量級(jí)的具有一定C軸擇優(yōu)取向ZAO薄膜，有很強(qiáng)的(002)衍射峰和較弱的(101)衍射峰，且(002)衍射峰的衍射角向低角度方向移動(dòng)。沉積的ZAO薄膜在紫外光區(qū)透過(guò)率基本低于20%，而可見(jiàn)光區(qū)平均透過(guò)率近90%，具有良好的光學(xué)性能。不同氧氬比對(duì)薄膜的光學(xué)性能沒(méi)有顯著影響，在可見(jiàn)光區(qū)平均透過(guò)率均超過(guò)85%，但是對(duì)薄膜的電學(xué)性能有重要影響，當(dāng)氧氬比為0.1%時(shí)，導(dǎo)電性最好，電阻率為5.3104Ωcm。關(guān)鍵詞