微波等離子體法化學(xué)氣相合成立方氮化硼薄膜的研究.pdf

1、立方氮化硼(cBN)是一種人工合成的III-V族化合物半導(dǎo)體材料,它有許多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，如寬帶隙(>6eV)，僅次于金剛石的硬度、高溫下強(qiáng)的抗氧化能力、不與黑色金屬反應(yīng)、可實(shí)現(xiàn)n型和p型摻雜等，在機(jī)械、光學(xué)、電子學(xué)等方面有著非常誘人的應(yīng)用前景，多年來(lái)一直吸引著國(guó)內(nèi)外眾多研究者的興趣。
　　本文采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積方法以及He-N2-H2-BF3的混合氣體系統(tǒng)在Si片上成功制備了cBN薄膜。通過(guò)在反應(yīng)過(guò)程中施加偏壓實(shí)現(xiàn)

2、了立方氮化硼的生長(zhǎng)。通過(guò)改變氣體組分、偏壓變化、工作氣壓、微波功率等參數(shù)對(duì)cBN薄膜的生長(zhǎng)規(guī)律進(jìn)行了系統(tǒng)研究。運(yùn)用FTIR、SEM、Raman等測(cè)試手段對(duì)沉積薄膜進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征，根據(jù)測(cè)試結(jié)果系統(tǒng)研究了工藝參數(shù)對(duì)制備cBN薄膜的影響規(guī)律，得到如下主要結(jié)果：
　　1)在H2流量固定的情況下，隨著B(niǎo)F3流量的逐漸增加，cBN的生長(zhǎng)速率呈現(xiàn)先增加后減小的趨勢(shì)；
　　2)在BF3流量固定的情況下，H2流量存在一個(gè)合適的范圍，大于或小于