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文檔簡介
1、自從硫系合金薄膜被報(bào)道可用于相變數(shù)據(jù)存儲(chǔ)之后,相變存儲(chǔ)技術(shù)就很快被開發(fā)出來,并與于20世紀(jì)80年代得到了迅速的發(fā)展。相變材料的優(yōu)劣直接影響著相變存器件的研究,研究和開發(fā)性能優(yōu)良的相變材料就成為了發(fā)展相變存儲(chǔ)技術(shù)的核心。而硫系化合物正是這樣一組重要的相變型存儲(chǔ)材料,特別是Ⅴ—Ⅵ族二元和Ge(鍺)—Ⅴ—Ⅵ族三元化合物,因其納米晶態(tài)半導(dǎo)體因具有較大的表面積比、較高的活性、特殊的電學(xué)和光學(xué)性能,引起了科學(xué)界的廣泛關(guān)注。 本文采用固相法,
2、以單質(zhì)Ge、Sb(銻)、Te(碲)和Se(硒)金屬粉末為原料,合成了Sb—Se,Sb—Te和Ge—Sb—Te系列相變材料,研究了材料合成的工藝條件,分析表征了制備材料的形貌和結(jié)構(gòu)特點(diǎn),主要研究內(nèi)容與結(jié)構(gòu)如下: (1)對(duì)材料的成分配比與制備工藝進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì),制備Sb—Se系材料最佳溫度為700℃,Sb—Te系為750℃,Ge—Sb—Te系為1100℃; (2)測(cè)試表征了Sb—Se系列材料,分析了元素比例,燒結(jié)溫度和不同的
3、冷卻方式對(duì)材料的制備的影響,根據(jù)結(jié)果推斷出穩(wěn)定性按Sb2Se3空冷→Sb2Se3爐冷→SbSe→Sb1Se4→Sb4Se1依次遞減; (3)測(cè)試表征了Sb—Te系列材料,配比接近2:3比例的樣品衍射峰較強(qiáng),產(chǎn)物為Sb2Te3正交晶系塊體材料,65-3678結(jié)構(gòu),R-3m空間群。配比達(dá)到Sb9Te1時(shí)產(chǎn)物為六方晶系Sb7Te1,P-63m空間群; (4)Ge摻雜后Sb2Te3的晶胞結(jié)構(gòu)沒有改變,依然是典型的R-3m斜方晶系
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