Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米材料新制備路線探索和性質(zhì)表征.pdf

1、該文在Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米材料的新合成路線方面進(jìn)行了一些有益的探討，開發(fā)出了包括常溫常壓有機(jī)溶劑中的離子交換反應(yīng)、溶劑熱條件下單質(zhì)直接反應(yīng)、水引發(fā)固相交換反應(yīng)方法在內(nèi)的合成磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）和氮化鋁（AlN）納米晶的新方法，并且對苯熱合成GaP納米晶的反應(yīng)過程進(jìn)行了系統(tǒng)研究.此外，該文還首次把Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體納米材料應(yīng)用于幾種重要的有機(jī)催化反應(yīng)，取得了較好的結(jié)果.該文對GaP納米棒的生長機(jī)理做了初步分析.在分析實驗結(jié)果基礎(chǔ)上

2、，總結(jié)出了GaP納米晶的最優(yōu)化的合成工藝條件，實現(xiàn)了GaP納米晶的高產(chǎn)率制備，且制備的納米晶的粒度可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)控.實現(xiàn)了GaP納米晶的可控制備后，該文又利用譜學(xué)方法對它的性質(zhì)進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)：磷化鎵納米晶吸收光譜上的拐點大幅藍(lán)移，禁帶寬度增大.相應(yīng)地，在拉曼光譜中，磷化鎵的橫光學(xué)聲子振動模（TO）和縱光學(xué)聲子振動模（LO）都移向低波數(shù).這些結(jié)果說明GaP納米晶有很強的量子限制效應(yīng).為了進(jìn)一步簡化操作步驟，排除副產(chǎn)物的影響，我們嘗試