高性能低成本的低壓功率器件(Trench DMOSFET)開發(fā).pdf

1、隨著21世紀(jì)的到來，在著名的摩爾定律的推動下，半導(dǎo)體行業(yè)也進(jìn)入到了一個全新的時代，各種各樣的高性能芯片隨之產(chǎn)生并廣泛的應(yīng)用在人們的日常生活中，在這些不同功能的半導(dǎo)體芯片中，功率芯片占據(jù)了非常大的一個市場份額，在這個特殊的領(lǐng)域里，主要可以分為單片式功率器件和功率集成電路芯片。 本文研究了目前在低壓應(yīng)用領(lǐng)域使用最為廣泛的一種器件結(jié)構(gòu)——溝槽式雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。通過對當(dāng)今國內(nèi)外研究進(jìn)度的分析，介紹了如何通過調(diào)整關(guān)鍵參

2、數(shù)優(yōu)值來評判溝槽式雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管性能的優(yōu)劣，根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)規(guī)格，同時考慮到低成本的因素，提出了通過采用單位元胞尺寸縮小來降低導(dǎo)通電阻的方案，并從理論上討論了在元胞間距尺寸縮小到1.4um時，由于制造工藝的局限性以及所設(shè)計(jì)的器件溝道長度變短,源區(qū)結(jié)深變淺后所帶來的器件穿通效應(yīng)，以及有源區(qū)面積縮小后，源區(qū)光刻膠在源區(qū)離子注入過程中，由光刻膠脫落所引發(fā)的寄生NPN三極管效應(yīng)。提出了運(yùn)用突起式多晶硅結(jié)構(gòu)和溝槽式接觸技術(shù)來克服這