襯底溫度和激光強度對PLD制備ZnO薄膜性質(zhì)影響的研究.pdf

1、隨著社會發(fā)展和科技的進步，人們對具有良好發(fā)光性質(zhì)材料的需求日益增強，相關研究越發(fā)深入。氧化鋅（ZnO）是一種寬禁帶直接帶隙半導體材料，屬Ⅱ—Ⅵ族化合物，室溫下禁帶寬度達到3．37eV，激子束縛能達到60meV，理論上可實現(xiàn)室溫下的較強紫外受激輻射，在紫外發(fā)射器件、紫外激光器件等領域具有廣闊的應用前景。同時，ZnO在表面聲波器件、透明電極、氣體傳感器等方面也得到了廣泛的應用。 目前，ZnO薄膜的制備方法有很多，比如，溶膠—凝膠法（

2、Sol—gel）、濺射法（Sputtering）、分子束外延生長法（MBE）、原子層外延生長法（ALE）、金屬有機物化學氣相沉積（MOCVD）、脈沖激光沉積（PLD）等。其中，PLD是近年發(fā)展起來的先進的薄膜生長技術，它通過在高真空條件下用高能激光燒蝕ZnO靶材，生成的蒸發(fā)物在加熱襯底上沉積并最終生長成ZnO晶體薄膜。與其他生長方法相比，PLD具有操作簡單、反應過程迅速、能保持制備的薄膜和靶材組分一致、可以在較低溫度條件下制備等優(yōu)點。