Pt及Cu-,2-O納米薄膜的制備和催化性能分析.pdf

1、本碩士學位論文在多孔硅(PS)和導電玻璃(ITO)基底上，成功制備了Pt和Cu2O納米薄膜；用原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)研究了所制薄膜材料的形貌學特征；用X射線衍射(XRD)和能量色散X射線能譜儀(EDX)分析了薄膜材料的元素組成和晶體學性質；用循環(huán)伏安(CV)、線性伏安(LSV)、開路電位(OCP)、電流～時間(Amperometric i～t)、交流阻抗(IMP)等電化學方法分析了所制備薄膜材料的電化學性能和沉

2、積機理：同時較系統(tǒng)地研究了該薄膜在電化學催化方面的應用前景。論文主要內(nèi)容如下： 1.利用化學鍍(Elcctroless deposition or chemical deposition)原理和p-Si(100)片作為基底，采用浸入沉積(Immersion deposition)技術，在該基底表面首先成功制得Ag、Au、Pd和Pt的晶粒層；用原子力顯微鏡(AFM)、開路電位(OCP)和交流阻抗(A.C.Impedance)方法對

3、所制備的晶粒層表面形貌、電化學特性進行了系統(tǒng)表征和研究。結果顯示，Ag、Pd和Au金屬在沉積60s后即可完全覆蓋基底，可以作為晶粒層使用；而Pt沉積量較少，不能作為晶粒層使用。Ag、Pd和Au作為晶粒層的使用，應當參考實際需要而考慮。 2.采用浸入沉積技術，首次成功的在多孔硅表面制備了Pt納米薄膜。用X射線衍射(XRD)、能量色散的X射線能譜儀(EDX)和掃描電鏡(SEM)表征了該薄膜的組成和形貌。結果顯示所制備的Pt納米薄膜具

4、有較小的粒徑和較大的比表面積。用循環(huán)伏安法(CV)對該薄膜的催化活性進行了研究，證明當沉積時間超過24 min時，薄膜對甲醇的氧化有良好的催化活性。 3.在檸檬酸鈉(Na3C6H5O7)緩沖溶液中，用恒電位沉積法在導電玻璃(ITO)表面制備了p型納米半導體氧化亞銅(Cu2O)薄膜。用場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)、X射線衍射(XRD)和循環(huán)伏安法(CV)對薄膜的形貌和成分進行了分析；用開路電位-時間(Ocpt～t)技術對薄膜的光