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文檔簡(jiǎn)介
1、本文利用電化學(xué)法,在氧化鋁(AAO)模板中恒電位沉積了 pn型Cu2O/CdS納米線。對(duì)納米線的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,研究了 pn結(jié)納米線的電流電壓特性、光電性能和光催化性能。
在AAO電極上恒電位沉積了Cu2O納米線,再以Cu2O/AAO為工作電極,恒電位沉積了CdS納米線,制備了Cu2O/CdS納米線。Cu2O納米線沉積液溫度55℃,沉積電位-0.28 V。CdS納米線沉積液溫度50℃,沉積電位-1.0 V。Mott-Sc
2、hokkty測(cè)試結(jié)果表明, Cu2O為 p型半導(dǎo)體, CdS為 n型半導(dǎo)體,即Cu2O/CdS納米線為pn型結(jié)構(gòu)。以pn型Cu2O/CdS/AAO為工作電極,恒電位交替沉積 Cu2O和 CdS納米線,制備了多層 pn型 Cu2O/CdS納米線。pn型Cu2O/CdS納米線直徑與 AAO模板孔徑一致,約為100 nm,長(zhǎng)度約為2μm,多層pn型Cu2O/CdS納米線的長(zhǎng)度約為4μm。XRD結(jié)果表明,Cu2O/CdS納米線是由立方晶系與六方
3、晶系混合的CdS和立方晶系Cu2O組成的。
電流電壓特性測(cè)試結(jié)果表明, pn型 Cu2O/CdS納米線具有整流作用。光電響應(yīng)結(jié)果表明,多層pn型Cu2O/CdS納米線較pn型Cu2O/CdS納米線光電性能好。紫外-可見吸收光譜測(cè)試表明,與單一 CdS、Cu2O納米線相比, pn型Cu2O/CdS納米線以及多層pn型Cu2O/CdS納米線的光響應(yīng)范圍拓寬,吸收邊發(fā)生紅移;尤其是多層 pn型 Cu2O/CdS納米線,紅移更明顯,吸
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