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文檔簡介
1、本論文從高溫超導銅氧化物的晶體結構出發(fā),做了如下相關研究:(1)以元素摻雜為主要手段,對Bi2201相的微結構及超導電性進行了研究,獲得了一些有意義的結果;(2)通過氣相輸運插層化合反應成功制備了IxBi2212和(HgI2)xBi2212插層化合物,進而制備出納米Bi2212相粉體;(3)成功制備了高溫超導Bi2212相和鐵磁LCMO相兩相復合的系列陶瓷樣品,就鐵磁性LCMO相對Bi2212相超導電性的影響進行了研究。 第一章
2、:綜述了高溫超導體發(fā)現(xiàn)20年來研究的進展情況,主要包括高溫超導體的晶體結構、電子相圖、正常態(tài)的反常輸運性質(zhì)(電阻率、熱電勢)、磁性質(zhì)、以及高溫超導體的元素替代效應。通過本章的介紹,我們將對高溫超導電性有一個概括的了解。 第二章:研究了不同退火條件下Bi2201相超導電性的進化。通過對Pb摻雜Bi2201(Bi1.8Pb0.2Sr2CuOy)相超導樣品進行系列條件下的真空退火處理,固定退火時間,調(diào)節(jié)退火溫度,使得樣品氧含量隨退火溫
3、度升高而降低,從而使樣品載流子濃度隨退火溫度升高而依次降低,進而影響樣品超導電性。我們系統(tǒng)研究了退火條件、正常態(tài)電阻率和超導電性之間的關聯(lián),確定了樣品最高超導轉變溫度的退火條件,討論了Bi2201相超導樣品在系列退火條件下其超導電性的進化,并獲得了該體系退火條件下最高超導轉變溫度Tconset=43K。 第三章:研究了稀土元素Ce/Eu共摻雜對Bi2201體系微結構和超導電性的影響。XRD結果表明,樣品Bi1.6Pb0.4Sr2
4、-x(Ce1-yEuy)xCuOz在摻雜量x=0.1時成單相,當x=0.2時,會有雜相出現(xiàn);隨著Eu摻雜量的增加及相應Ce摻雜量的減少,晶胞參數(shù)a,b稍有增大,晶胞參數(shù)c則顯著增大;樣品的晶胞參數(shù)a、b和c隨著摻雜量y的增加均發(fā)生連續(xù)性變化,這與Raman和IR光譜的變化是一致的。電阻率測量表明,隨著Eu摻雜量的增加,樣品的超導轉變溫度Tconset可以提高到21K,Ce摻雜對超導電性有一定的抑制作用,而Eu摻雜卻能夠改善超導電性,其中
5、Tconset隨Ce/Eu摻雜量的變化可以用電荷轉移模型進行合理解釋。 第四章:通過氣相輸運插層化合反應成功制備了高溫超導Bi2212(Bi2Sr1.1La0.4Cai.5Cu2Oy)相的碘插層化合物IxBi2212,進而制備出碘化汞插層化合物(HgI2)xBi2212。在此基礎上,對碘化汞插層化合物(HgI2)xBi2212在丙酮溶液中進行超聲剝落,成功制備出了高溫超導Bi2212相的納米粉體。我們利用XRD和SEM對樣品進行
6、了相分析和表征,并就樣品制備技術過程和納米Bi2212相粉體的應用作了討論。 第五章:成功制備了由高溫超導Bi2212(Bi2Sr1.1La0.4Cai.5Cu2O8+δ)相和鐵磁LCMO(La2/3Ca1/3MnO3+δ)相兩相復合的系列陶瓷樣品。復合陶瓷樣品的相分析表明無雜相生成,電阻率~溫度曲線顯示出鐵磁性LCMO相對Bi2212相超導電性有顯著抑制作用,隨LCMO相含量增加,復合樣品的超導轉變溫度逐漸降低,進而失去超導電
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