2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、目的:
  通過(guò)CT三維創(chuàng)新重建,評(píng)估多通道人工耳蝸植入術(shù)后電極位置、形態(tài),分析植入深度與術(shù)中電刺激聽(tīng)神經(jīng)復(fù)合動(dòng)作電位閾值相關(guān)性。
  方法:
  收集中國(guó)醫(yī)科大學(xué)2013年4月~2014年2月雙耳重度或極重度感音神經(jīng)性聾在我院行多通道人工耳蝸植入患者40例,18例植入奧地利COMBI40+型電極,22例植入美國(guó)HiFocus1J型電極,術(shù)后一周內(nèi)行多排螺旋CT耳蝸靶掃描,將掃描圖像傳至GE ADW4.4工作站,一方面

2、對(duì)耳蝸內(nèi)電極行三維斜面重建(Oblique PlanarReconstruction OPR)、批量處理(Batch)及容積再現(xiàn)(VRT);一方面對(duì)耳蝸內(nèi)電極行三維曲面重建(Curved Reconstruction CR),測(cè)量?jī)煞N電極植入深度,比較兩種電極植入深度差異;術(shù)中測(cè)定電刺激聽(tīng)神經(jīng)復(fù)合動(dòng)作電位(Electrically evokedauditory nerve compound action potential ECAP)閾

3、值測(cè)定,COMBI40+型電極用ART系統(tǒng)測(cè)量4、8及12號(hào)電極ECAP閾值,取平均閾值,HiFocus1J型電極用NRI系統(tǒng)測(cè)量5、10及15號(hào)電極ECAP閾值,取平均閾值;采用SPSS17.0軟件分析包對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。兩種類(lèi)型人工耳蝸植入深度采用獨(dú)立樣本采用t檢驗(yàn),數(shù)據(jù)間用單因素相關(guān)分析。檢驗(yàn)水準(zhǔn):α=0.05,P<0.05差異有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義或存在相關(guān)性。
  結(jié)果:
  1、三維OPR及Batch重建斜冠狀位圖像一方面清

4、晰顯示人工耳蝸?lái)敹穗姌O位置、各個(gè)電極從鼓階至圓窗全程排列走形及數(shù)目,COMBI40+型電極顯示12對(duì)電極11例,11對(duì)4例,10對(duì)3例,HiFocus1J型電極顯示16對(duì)電極22例;一方面較清晰顯示鼓階、前庭階、蝸軸及電極在鼓階的位置24例,COMBI40+型電極13例,HiFocus1J型電極11例;VRT圖像清晰顯示人工耳蝸電極的立體結(jié)構(gòu)、圈數(shù)及耳蝸中位置,COMBI40+型電極中9例頂端電極位于中間圈,圈數(shù)為2;8例位于中間圈與基

5、底圈之間,圈數(shù)約1.5,1例蝸?lái)?xiàng)位于基底圈,圈數(shù)為1;HiFocus1J型電極中O例頂端電極于中間圈,圈數(shù)為2;11例位于中間圈與基底圈之間,圈數(shù)約1.5,11例蝸?lái)斘挥诨兹?,圈?shù)為1,2例清晰顯示頂端電極扭曲、移位。
  2、COMBI40+型電極電極植入的平均深度29.875±1.303mm,HiFocus1J型電極植入的平均深度20.832±1.577mm,兩種型號(hào)電極植入深度差異統(tǒng)有計(jì)學(xué)意義(t=19.476,p>0.0

6、5),在植入深度方面,COMBI40+型電極大于HiFocus1J型電極。
  3、術(shù)中COMBI40+型電極ECAP平均閾值175.854+1.841 CL,HiFocus1J型電極ECAP平均閾值170.435±1.473CL,COMBI40+型比HiFocus1J型電極閾值高。
  4、分別分析電極植入深度與ECAP平均閾值相關(guān)性,COMBI40+型電極|r|=0.618,P<0.05,HiFocus1J型電極,|r|

7、=0.835,P<0.05,說(shuō)明兩種類(lèi)型電極植入深度與ECAP平均閾值呈負(fù)相關(guān),但是HiFocus1J型電極比COMBI40+型電極相關(guān)性顯著。
  結(jié)論:
  三維OPR-Batch及VRT重建創(chuàng)新方法理想顯示人工耳蝸電極在耳蝸內(nèi)的位置、形態(tài)及數(shù)目;在遠(yuǎn)期復(fù)查中,能夠清晰、直觀、準(zhǔn)確地觀察人工耳蝸電極是否脫落、扭曲等問(wèn)題;三維曲面重建較準(zhǔn)確測(cè)量電極植入深度;在一定范圍內(nèi),電極植入深度與ECAP平均閾值呈顯著負(fù)相關(guān),即植入越

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