SiO-,2-介質(zhì)材料輻照損傷-噪聲測試結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、二氧化硅(sio2)是集成電路(IC)中常用的介質(zhì)材料，也是MOS器件及其IC中最易受輻照損傷的部位。為此，對Si02介質(zhì)材料輻照效應(yīng)的研究將會保證MOS器件及其IC在核輻射環(huán)境下使用的可靠性。噪聲與材料及器件的內(nèi)部缺陷密切相關(guān)，可以做為材料及器件無損評估的工具。而Si02是一種絕緣材料，為了研究其抗輻照性能，必須設(shè)計能靈敏反映其輻照損傷并便于測試表征參量的樣品結(jié)構(gòu)。 本文為了設(shè)計Si02介質(zhì)材料輻照損傷．噪聲測試結(jié)構(gòu)，使用低頻

2、l/f噪聲來表征其抗輻照性能，主要工作和結(jié)論有： 1、深入研究了Si02介質(zhì)材料的輻照效應(yīng)及噪聲產(chǎn)生機制，建立了存在于MOSFET中的Si02介質(zhì)輻照損傷模型和1/f噪聲產(chǎn)生模型。通過對模型中潛在缺陷微觀信息的研究，建立起基于輻照前1/f噪聲的MOSFET輻照退化模型，并提出MOSFET抗輻照能力的預(yù)測方法。即通過MOSFET輻照前l(fā)/f噪聲的測量，就可以預(yù)測經(jīng)歷一定劑量輻照后分別由氧化層陷阱電荷和界面陷阱電荷誘使的閥值電壓漂移