高速沉積穩(wěn)定氫化非晶硅薄膜與非晶硅太陽(yáng)電池陷光結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)模型.pdf

1、要提高非晶硅太陽(yáng)電池的普及率,我們必須降低非晶硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)成本,提高非晶硅太陽(yáng)電池的穩(wěn)定效率,基于這兩個(gè)目的,作者開(kāi)展了以下的工作.一、高速生長(zhǎng)穩(wěn)定的非晶硅材料.我們首先對(duì)等離子體輝光放電法的各個(gè)沉積條件對(duì)薄膜的生長(zhǎng)速率和穩(wěn)定性的影響進(jìn)行了理論分析,然后制訂出一個(gè)可行的方案.通過(guò)對(duì)等離子體輝光光譜的監(jiān)測(cè)和分析,我們證實(shí)了隨著工作氣壓的增大,電子的溫度也隨之下降.并且發(fā)現(xiàn)在低氣壓底下,增加功率對(duì)電子溫度的提高比高氣壓下更加明顯.二、在

2、相變區(qū)沉積高穩(wěn)定性的非晶硅薄膜材料 通過(guò)提高氫稀釋率,可以使材料從非晶向微晶轉(zhuǎn)變,在相變區(qū)域,隨著氫稀釋率的提高,材料的暗電導(dǎo)和光敏性發(fā)生急劇的變化,材料很快向微晶過(guò)渡,也就是說(shuō),相變區(qū)是一個(gè)很窄的區(qū)域.對(duì)于微晶硅材料,我們發(fā)現(xiàn)功率的提高有利于抑制氧的施主摻雜作用,從而提高材料的光敏性.三、非晶硅太陽(yáng)電池陷光結(jié)構(gòu)的計(jì)算機(jī)模型.為了更真實(shí)地模擬非晶硅太陽(yáng)電池的陷光結(jié)構(gòu),我們?cè)诜治鱿莨饨Y(jié)構(gòu)的表面形貌后,對(duì)陷光結(jié)構(gòu)提出一個(gè)新的模型,并用這個(gè)新