非晶硅薄膜太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率的數(shù)值研究.pdf

1、a-Si：H材料因原子結(jié)構(gòu)的長程無序使其成為準直接帶隙材料，其光吸收系數(shù)比晶體硅大得多，是太陽電池理想的光吸收材料。但a-Si：H材料大量的懸掛鍵等缺陷態(tài)和難以克服的光致衰退效應等成為發(fā)展非晶硅材料的主要障礙。
　　 為深入理解a-Si：H材料的能帶結(jié)構(gòu)等因素對光生載流子的產(chǎn)生、輸運、復合等微觀過程的影響，在Mott-Davis模型的基礎(chǔ)上,建立了基于pin結(jié)構(gòu)的a-Si：H薄膜太陽電池的理論模型，采用數(shù)值模擬的方法，在AMPS

2、-1D程序環(huán)境下，對其進行理論計算。主要研究了非晶硅薄膜太陽電池本征i層厚度、前端接觸、帶尾態(tài)對太陽電池轉(zhuǎn)換效率的影響。通過模擬分析，得出以下結(jié)論：
　　 1、當非晶硅薄膜太陽電池的i層厚度在200nm～400nm時，電池處于最高的工作狀態(tài)。
　　 2、非晶硅薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)換效率隨帶尾態(tài)特征能量、帶尾態(tài)密度的增大而降低。當ED≤0.05eV，EA≤0.03eV，GDO≤1018cm-3eV-1，GAO≤1021cm-3