質(zhì)子和電子輻照下雙結(jié)非晶硅薄膜太陽電池性能研究.pdf

1、本文利用空間環(huán)境地面模擬設備，對雙結(jié)非晶硅太陽電池在低能質(zhì)子、電子單獨及共同輻照作用下電性能損傷效應進行研究。本文通過能量粒子與非晶材料的相互作用分析了質(zhì)子、電子不同輻照類型對非晶硅太陽電池材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)、性能的影響。在輻照試驗中，我們先用80keV、170keV質(zhì)子的和170keV的電子分別對雙結(jié)非晶硅太陽電池進行輻照，最后采用能量均為170keV的質(zhì)子和電子共同對太陽電池進行輻照。通過對I-V特性的測量，研究了單質(zhì)子、單電子以及質(zhì)子和

2、電子共同輻照后電池電性能的衰退規(guī)律，并通過光學反射率、串聯(lián)電阻、電容、電導率等參數(shù)的測量分析，研究了不同輻照類型、不同能量、不同劑量粒子對雙結(jié)非晶硅疊層太陽電池造成衰退的規(guī)律和損傷機理。
　　試驗結(jié)果表明：與170keV質(zhì)子輻照相比，80keV質(zhì)子輻照對非晶硅太陽電池電性能造成的衰退幅度更大。電池的電性能衰退幅度主要取決于底結(jié)的損傷程度，電子能量一定條件下，雙結(jié)非晶硅薄膜電池電性能衰退隨電子注量的增加而增大。質(zhì)子和電子共同輻照對雙