Ensite Array系統(tǒng)虛擬單極電圖對流出道特性性室性心律失常導管消融的指導作用.pdf

1、目的:
　　采用Ensite Array系統(tǒng)標測流出道起源室性心律失常，分析其虛擬單極電圖(VUEs)特征及其對導管消融的指導作用。
　　方法:
　　收集2013年1月至2014年4月于中南大學湘雅二醫(yī)院心導管室行流出道室性心律失常經(jīng)Ensite Array非接觸標測系統(tǒng)標測，導管射頻消融治療的患者。按射頻消融治療成功有效靶點部位分為非RVOT心內(nèi)膜組（8例）和RVOT心內(nèi)膜組(45例)，分析兩組患者的VUEs特點:室

2、性心律失常起源點到體表心電圖QRS時間(EA-QRS時間)、突破點到體表心電圖QRS時間（BO-QRS時間）、起源點到突破點時間（EA-BO時間）、起源點到突破點距離（EA-BO距離）、起源點3ms及6ms時負向電壓（EA3ms、EA6ms電壓）、突破點3ms及6ms時負向電壓（BO3ms、BO6ms電壓），并對RVOT組VUEs相關參數(shù)結(jié)合導管射頻消融X線曝光時間及手術時間進行分析。
　　結(jié)果:
　　1、EA-QRS時間及

3、BO-QRS時間:非RVOT心內(nèi)膜組均短于RVOT心內(nèi)膜組(P＜0.05); EA-BO時間及EA-BO距離:非RVOT心內(nèi)膜組均長于RVOT心內(nèi)膜組(P＜0.05); EA3ms、EA6ms電壓:非RVOT心內(nèi)膜組小于RVOT心內(nèi)膜組(P＜0.05);BO3ms、BO6ms電壓:兩組間差異無明顯統(tǒng)計學意義(P＞0.05)。BO-QRS時間≥12ms預測RVOT心內(nèi)膜起源的敏感性為93.3％、特異性為100％。
　　2、RVOT心

4、內(nèi)膜起源組EA6ms電壓的中位數(shù)0.62mV，并以EA6ms電壓≥0.62mV與＜0.62mV將RVOT心內(nèi)膜起源組分為兩組，發(fā)現(xiàn)EA6ms電壓＜0.62mV組需更的手術時間及X線曝光時間(P＜0.05)。
　　結(jié)論:
　　1、Ensite Array系統(tǒng)用于流出道特發(fā)性室性心律失常三維標測安全有效。
　　2、虛擬單極電圖有助于識別RVOT心內(nèi)膜起源與非RVOT心內(nèi)膜起源室性心律失常。
　　3、虛擬單極電圖有助于