磁性材料Sr-,2-x-Gd-,x-FeMoO-,6-正電子湮沒及輸運特性研究.pdf

1、本文研究了Sr位替代氧化物Sr2-xOdxFeMoO6的正電子湮沒、輸運特性,及摻雜所引起的結(jié)構和性質(zhì)的變化。 采用傳統(tǒng)固相反應法制備了系列氧化物Sr2-xGdxFeMoO6(x=0,0.05,0.1,0.15,0.2,0.25)樣品,利用X射線衍射對樣品進行了檢測,在整個替代范圍內(nèi),樣品單相性很好,沒有雜相出現(xiàn),說明了釓離子完全進入了晶格內(nèi)部,釓離子對Sr位的取代是有效的。Sr2FeMoO6屬于典型的雙鈣鈦礦型A2BB'O6結(jié)

2、構,其中Fe、Mo分別有序地占據(jù)B、B'位置,呈NaCl型結(jié)構相間排列,但由于制作工藝、燒結(jié)溫度及摻雜的影響,不可避免地存在反位缺陷,反位缺陷是影響材料特性的重要因素。 利用正電子湮沒技術對系列樣品進行正電子壽命譜測量,由兩壽命譜模型計算出樣品的平均壽命和平均電子濃度。結(jié)果表明：當摻雜量x=0.05,0.1,0.15,0.2時,樣品的長壽命、短壽命、平均壽命隨Gd摻雜量的增加增大,當摻雜量x=0.25時,這些參量的值較摻雜量x=

3、0.2時有所減小,而電子密度隨摻雜量的增加先減小后增加,這可能是由Gd摻雜使樣品缺陷尺寸發(fā)生變化所導致的。光摻雜時,總體上看,系列樣品的平均壽命隨摻雜量的增加而減小,這表明光摻雜使樣品內(nèi)的平均缺陷尺寸變小,電子結(jié)構趨于有序化。正電子壽命譜參數(shù)對光摻雜量十分敏感,通過光摻雜能有效改變樣品的缺陷尺寸和平均電子密度,進而影響樣品的輸運特性。 對樣品電阻率測量的研究發(fā)現(xiàn),影響電輸運性質(zhì)的因素主要有以下三個：首先,由于反位缺陷的存在,化合