硅及稀土材料低維納米結(jié)構(gòu)的組裝和光物理性質(zhì).pdf

1、納米結(jié)構(gòu)的組裝體系及其物理性質(zhì)的研究是當(dāng)前納米科學(xué)的研究熱點(diǎn)。硅基半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代微電子及光電集成技術(shù)的基礎(chǔ)，稀土是發(fā)光、磁學(xué)、超導(dǎo)等諸多功能材料不可或缺的組分。本文以硅和稀土化合物為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)合成了四種新材料體系：稀土配合物／SiO_2微球復(fù)合結(jié)構(gòu)、Y_2O_3:Eu納米管、Si／SiO_x納米線及Si_(1-x)C_x薄膜超點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)。豐富了幾種低維納米結(jié)構(gòu)的組裝制備方法，分析了相關(guān)體系的結(jié)構(gòu)特征，研究了它們?cè)诩{米尺度下的光物理性質(zhì)。

2、通過改進(jìn)的St(?)ber方法制備了銪配合物／SiO_2微球復(fù)合結(jié)構(gòu)。熒光光譜、激光選擇激發(fā)及發(fā)光動(dòng)力學(xué)的研究表明銪配合物在SiO_2基質(zhì)中存在兩種發(fā)光中心。與單一的配合物體系相比，其能量位置及譜線數(shù)目保持一致。將稀土配合物／SiO_2微球分散在介電常數(shù)不同的聚合物介質(zhì)中，折射率邊界引起的介電限域效應(yīng)改變了稀土離子的自發(fā)輻射速率。利用表面活性劑分子的自組裝方法合成了Y_2O_3:Eu納米管。低溫下的激光選擇激發(fā)光譜表明，處于納米管壁內(nèi)部