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文檔簡介
1、微電子技術(shù)的發(fā)展越來越接近其工藝技術(shù)極限,因此有必要著力發(fā)展新的器件工藝技術(shù)。納米電子器件是微電子器件的延續(xù);作為新一代電子器件,納米電子器件在功耗、工作速度等方面相對(duì)于傳統(tǒng)的微電子器件具有明顯優(yōu)勢(shì),發(fā)展前景十分廣闊。單電子器件,包括單電子晶體管和單電子存儲(chǔ)器,是納米電子器件中最具代表性的一類器件,代表了下一代器件的發(fā)展方向,因而也成為目前器件研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。 本文針對(duì)單電子器件的基本問題,即其特性分析方法問題開展研究工作。一般
2、來說,可以從模擬,測(cè)量,理論等三個(gè)方面來分析單電子器件的特性。理論的分析忽略了太多的實(shí)際中出現(xiàn)的情況,過于理想;直接測(cè)量需要很高的工藝條件和苛刻的測(cè)量環(huán)境,難度較大。模擬則成了較為合適的方法。在眾多的模擬方法中單電子晶體管等效模型法近年來備受關(guān)注。而本論文采用了上述的模擬方法,提出了單電子結(jié)的SPICE模型,進(jìn)而擴(kuò)展得到了單電子晶體管的SPICE模型,用該模型對(duì)單電子晶體管進(jìn)行了特性模擬,并對(duì)模擬結(jié)果進(jìn)行了分析。 文中介紹了單電
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