纖鋅礦GaN和AlGaN體材料輸運(yùn)特性的解析模型及其應(yīng)用研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、常規(guī)半導(dǎo)體微波功率器件已經(jīng)發(fā)展到其性能極限。為了滿足無線通信的未來需要,寬禁帶半導(dǎo)體GaN和SiC成為研究的熱點。GaN基GUNN器件被認(rèn)為是300GHz以上,甚至太赫茲頻率范圍極具潛力的微波功率器件。但是人們對GaN基材料(包括GaN,A1N,InN以及它們的合金)的輸運(yùn)等電學(xué)特性的認(rèn)識和理解尚不完全,對影響GaN基GUNN器件性能的因素和規(guī)律的探索和研究剛剛起步,認(rèn)識不足,這些因素都限制了GaN基GUNN器件設(shè)計和應(yīng)用的步伐。

2、>　　 本文即在此背景下對纖鋅礦GaN和A1GaN體材料的輸運(yùn)特性、影響GaN基GUNN器件性能的因素和規(guī)律等內(nèi)容進(jìn)行了較深入的研究。主要研究結(jié)果如下:
　　 1)提出了適用于商用模擬器Silvaco Simulator的GaN和全A1組分A1GaN高場輸運(yùn)解析模型,修正了以往模型在表征遷移率的電子濃度依賴和溫度依賴方面的缺陷。
　　 2)首次提出了A1GaN高場下的合金效應(yīng)模型,并嵌入到A1GaN高場輸運(yùn)模型中,對合

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