版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、近十幾年來(lái),隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的Si和GaAs等基的器件性能已經(jīng)接近極限,不能滿(mǎn)足半導(dǎo)體的應(yīng)用需要。由于材料上以及電學(xué)屬性上的優(yōu)勢(shì),新型的三代半導(dǎo)體寬禁帶材料GaN、AlGaN和SiC等基的微波器件能夠突破其上限極限,達(dá)到常規(guī)半導(dǎo)體難以達(dá)到的性能指標(biāo)。由于這個(gè)原因,目前三代半導(dǎo)體GaN材料的AlGaN/GaN HEMTs由于其優(yōu)越的研究前景而成為目前的熱點(diǎn)研究對(duì)象。
本學(xué)位論文主要針對(duì)上述的問(wèn)題,在充分了解了AlG
2、aN/GaN HEMTs器件的發(fā)展?fàn)顩r以及其工作原理的基礎(chǔ)上,構(gòu)建了一個(gè)簡(jiǎn)單的AlGaN/GaN HEMTs器件模型,并且對(duì)該模型進(jìn)行了器件的相關(guān)電學(xué)屬性模擬與仿真。主要的工作有以下幾方面:
1.作者對(duì)HEMT器件性能以及工作原理進(jìn)行了研究,而且總結(jié)很多GaN等材料的電學(xué)屬性的參數(shù)。
2.簡(jiǎn)要概述了一個(gè)半導(dǎo)體器件物理的概論,是各種各樣器件特性的基礎(chǔ),介紹了器件的結(jié)構(gòu)與工作原理。在此基礎(chǔ)上詳細(xì)介紹了HEMT器件的特性,
3、主要有其輸出特性、轉(zhuǎn)移特性等方面,這些對(duì)于HEMT器件應(yīng)用有著很重要的作用。
3.介紹Silvaco軟件的使用方法,詳細(xì)介紹了模擬中要用到的基本模型如遷移率模型、載流子生成-復(fù)合模型、碰撞電離模型和漂移擴(kuò)散模型等,以及模擬時(shí)需要的材料模型如材料的禁帶寬度、介電常數(shù)、載流子的有效質(zhì)量、有效狀態(tài)密度、空間電荷和自熱效應(yīng)等,隨后分析了器件中的極化效應(yīng)的產(chǎn)生原因,如自發(fā)極化效應(yīng)和壓電極化效應(yīng)的產(chǎn)生,在此基礎(chǔ)上,介紹了二維電子氣的產(chǎn)生原
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- AlGaN-GaN HEMT器件的特性仿真研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件低溫特性研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件溫度特性研究.pdf
- AlGaN-GaN MOS-HEMT器件特性研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT熱特性研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件建模技術(shù)研究.pdf
- 凹槽柵AlGaN-GaN MOS-HEMT器件特性研究.pdf
- 透明柵AlGaN-GaN HEMT器件制備及特性分析.pdf
- AlGaN-GaN異質(zhì)結(jié)材料特性與HEMT器件研究.pdf
- GaN基歐姆接觸及AlGaN-GaN HEMT器件研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件可靠性研究.pdf
- 高κ疊柵AlGaN-GaN MOS-HEMT器件特性研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件的輻照效應(yīng)研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT高溫特性的研究.pdf
- 薄勢(shì)壘F注入AlGaN-GaN HEMT器件特性研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件模型與熱效應(yīng)研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件建模及功率合成研究.pdf
- 新型耐壓結(jié)構(gòu)AlGaN-GaN HEMT功率器件研究.pdf
- 增強(qiáng)型AlGaN-GaN槽柵HEMT器件的仿真研究.pdf
- AlGaN-GaN HEMT器件模型的建立與驗(yàn)證.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論