AlGaN-GaN HEMT器件建模技術(shù)研究.pdf

1、AlGaN/GaN HEMT器件由于其高溫、高頻、大功率等特性方面的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)在微波大功率電路方面得到了廣泛應(yīng)用。成功的電路設(shè)計(jì)需要準(zhǔn)確的器件建模，小信號(hào)建模和大信號(hào)建模在微波電路設(shè)計(jì)中占有重要位置。
　　AlGaN/GaN HEMT器件的小信號(hào)建模已經(jīng)進(jìn)行了廣泛的研究，然而在高頻部分的擬合結(jié)果并不理想。這主要是由于當(dāng)器件的工作頻率高于40GHz時(shí)共面波導(dǎo)效應(yīng)的影響非常明顯，所以在小信號(hào)等效電路模型中引入了柵源和柵漏共面波導(dǎo)電容C

2、CPWgs和CCPWgd。同時(shí)引入了柵微分電阻Rfs和Rfd來表征的器件的柵極泄漏電流。
　　在提取小信號(hào)等效電路模型參數(shù)中的寄生電容時(shí)，柵壓正偏，柵微分電阻不能忽略；器件的工作頻率很高，二維電子氣層相當(dāng)于傳輸線，其分布效應(yīng)不能忽略。基于傳統(tǒng)的提取算法，通過對(duì)不同柵壓偏置下冷場(chǎng)Z參數(shù)進(jìn)行線性插值運(yùn)算，消除了溝道分布電阻和柵微分電阻的影響，準(zhǔn)確提取得到寄生電阻。寄生參數(shù)提取完成后，用不同偏置下的熱場(chǎng)S參數(shù)對(duì)寄生參數(shù)部分進(jìn)行去嵌得到本