ECR-CVD制備的SiO-,x--a-C-F-SiO-,x-多層膜的結(jié)構(gòu)與介電性質(zhì).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、食用80﹪Ar稀釋的SiH4,O2,CHF3和CH4作為前驅(qū)氣體,利用微波電子回旋共振離子體化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)方法制備了氧化硅/氟化非晶碳膜/氧化硅(SiO<,x>/a-C:F/SiO<,x>)多層膜與單層的氟化非晶碳膜(a-C:F),并在N<,2>氛圍退火處理中考察其熱穩(wěn)定性.使用臺階儀測量退火前后膜厚的變化;用紫外可見分光光度計(jì)(UV-VIS)測量了膜的透光譜,并計(jì)算了其光學(xué)帶隙;用傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)和X射

2、線光電子能譜儀分析了薄膜的化學(xué)鍵和成分分布;使用低頻阻抗分析儀測量了薄膜的介電常數(shù).該文重點(diǎn)分析了SiO<,x>/a-C:F/SiO<,x>多層膜的結(jié)構(gòu)與成分,并與單層的a-C:F薄膜比較了退火前后結(jié)構(gòu)與介電性質(zhì)的不同.結(jié)果表明,多層膜主要由C-F,C=C,Si-O鍵構(gòu)成,由于器壁的歷史效應(yīng),薄膜中還存在少量Si-C和Si-F鍵;多層膜的光學(xué)帶隙經(jīng)計(jì)算約為2.7eV;多層膜的介電常數(shù)與包層SiO<,x>厚度有很大的關(guān)系,應(yīng)盡可能減小Si

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