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文檔簡介
1、隨著微波通訊的高速發(fā)展,對小型化、低成本的要求越來越高。而低溫共燒陶瓷技術(shù)已成為微波元器件小型、低成本化的首選方式,已被廣泛應(yīng)用于軍事及民用領(lǐng)域。作為LTCC技術(shù)的關(guān)鍵材料,微波介質(zhì)陶瓷是一種新型介電材料,可以作為諧振器、濾波器、天線等核心微波元器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。從經(jīng)濟(jì)、小型化等角度考慮,LTCC技術(shù)要求微波介質(zhì)陶瓷具有較高的介電常數(shù)、高的品質(zhì)因數(shù)及接近零的諧振頻率溫度系數(shù),并可與 Ag或 Cu電極在低溫下共燒。但絕大多數(shù)微波介
2、質(zhì)陶瓷的燒結(jié)溫度都相對比較高,因此降低微波介質(zhì)陶瓷的燒結(jié)溫度滿足與Ag或Cu共燒的需求是今后繼續(xù)研究的熱點(diǎn)。
高εr值CaO-BaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(簡稱CBLST)和CaO-Li2O-Nd2O3-TiO2(簡稱CLNT)陶瓷體系同時(shí)具有低的介電損耗,接近零的諧振頻率溫度系數(shù)等優(yōu)點(diǎn),是目前有望成為制備多層、小型化微波元器件的材料。因此,本文選擇具有最佳的綜合介電性能的 CBLST和CLNT陶瓷體系作為研究對象。
3、研究復(fù)合添加BaCu(B2O5)(簡稱BCB)和Li2O-B2O3-SiO2(簡稱LBS)玻璃對CBLST及分別添加 BCB、ZnO-B2O3-SiO2(簡稱 ZBS)玻璃對 CLNT陶瓷介電性能的影響。采用XRD、SEM等手段分析致密化、微觀組織、相組成及介電性能之間的關(guān)系。所得主要研究結(jié)果如下:
1. BCB與LBS玻璃復(fù)合助燒CBLST陶瓷
BCB和 LBS復(fù)合加入并未改變 CBLST陶瓷的兩相結(jié)構(gòu),可將陶瓷的
4、燒結(jié)溫度從1325℃有效降低到1050℃,其密度達(dá)到純片密度的97.4%。添加6wt%BCB+0.5wt%LBS的 CBLST陶瓷具有最佳的介電性能:εr=81.9, tanδ=0.0062,τf=-3.75 ppm/℃。其介電損耗比添加6wt%BCB的CBLST陶瓷的介電損耗低得多(tanδ=0.18)。
2. BCB助燒CLNT陶瓷
BCB的加入使 CLNT陶瓷的晶相發(fā)生了相對的改變,形成第二相并且可以使陶瓷的燒
5、結(jié)溫度從1200℃降低到950℃,且最大致密度達(dá)到理論密度的96.8%,添加5wt%BCB的 CLNT陶瓷在950℃燒結(jié)2h時(shí),獲得優(yōu)異的介電性能:εr=94.03,tanδ=0.0097,τf=1.076ppm/℃(在1MHz條件下)。
3. ZBS玻璃助燒CLNT陶瓷
添加 ZBS玻璃可以使 CLNT陶瓷的燒結(jié)溫度從1200℃有效降低到925℃,并且相對密度達(dá)到97.2%。添加 ZBS玻璃的 CLNT陶瓷樣品除了
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