厚膜電路用BaO-Nd-,2-O-,3--TiO-,2-系統(tǒng)陶瓷材料研究.pdf

1、隨著通訊技術(shù)的高度發(fā)達(dá)，通訊器材普遍朝著小型化方向發(fā)展，為適應(yīng)集成化程度越來越高的的變化趨勢，低溫共燒(燒結(jié)溫度<1000℃)，且具有低損耗和良好溫度穩(wěn)定性的介質(zhì)材料有著極好的應(yīng)用前景。本文圍繞BZB，GE玻璃等燒結(jié)助劑在特定組成BNT系陶瓷材料中所起的作用，探討了燒結(jié)助劑對材料介電性能的影響及其作用機(jī)理，并從配比和工藝等方面進(jìn)行調(diào)整，得出如下實(shí)驗(yàn)結(jié)論。 BaO-Nd2O3-T1O2(BNT)系統(tǒng)是一種介電性能優(yōu)良的陶瓷，但是其

2、燒結(jié)溫度較高，無法直接在850℃與Ag、Cu等低熔點(diǎn)金屬電極材料共燒。本文首先對BNT陶瓷體系進(jìn)行改性，添加Bi2O3使其燒結(jié)溫度降低，然后加入軟化點(diǎn)低的玻璃添加劑。低軟化點(diǎn)的玻璃和高熔點(diǎn)的BNT陶瓷相互作用，使得BNT和玻璃之間良好潤濕，最后使燒結(jié)溫度降低，同時(shí)調(diào)節(jié)工藝等條件，使介電性能滿足需要。 通式為Ba6_3、(Nd1-yBiy)8+2xTi18O54(x=0～1，y=0.5)的BNT材料在添加5wt％BZB玻璃后，可以

3、在850℃燒結(jié)致密，測試頻率為1MHz時(shí)，介質(zhì)材料的介電性能為：ε≈52，tanδ～6×10-3，αc≤2％，絕緣電阻R>1×1011。在該成果的基礎(chǔ)上我們又研究了GE玻璃添加劑的作用，復(fù)合添加5％的BZB玻璃和1％的GE玻璃后，得到的BNT+BZB+GE介質(zhì)材料在850℃燒結(jié)，陶瓷體的介電性能為：ε≈55.9，tanδ≈2×10-3(測試頻率為1MHz).αc≤2％，絕緣電阻R≥1×1011。 本文研究材料可用于制備厚膜電路用