硅晶片缺陷模式分析研究.pdf

1、微電子技術(shù)飛速發(fā)展,導致芯片關(guān)鍵尺寸不斷下降,集成電路制造工藝也在不斷進步.生產(chǎn)工藝越復雜,硅晶片出現(xiàn)缺陷的概率就越大.通常半導體制造商為追求投資回報率,需要將成品率控制在一個穩(wěn)定的狀態(tài).研究表明,制造工藝中造成硅晶片的缺陷是影響成品率的主要因素之一,為減少缺陷對成品率的影響,工程師需要一套在線缺陷模式分析系統(tǒng)輔助他們完成缺陷檢測工作.本文研究工作是圍繞硅晶片生產(chǎn)中缺陷模式分析這個基本問題展開.在缺陷分析研究檢測中,研究人員關(guān)注比較多的

2、是三種硅晶片統(tǒng)計圖:Wafermap,Binmap,Bitmap. 本文研究重點是Wafermap中缺陷模式分析的幾個問題,其主要內(nèi)容有: 介紹了缺陷模式分析基本研究內(nèi)容和研究方法,并對缺陷分布分析設計中常見問題進行分析.研究了譜聚類基本理論和算法,將譜分割理論應用到線狀缺陷噪聲去除中,實驗中采用兩個典型樣例進行分析,結(jié)果表明在滿足一定目標函數(shù)條件下,可以將線狀缺陷周圍無關(guān)的噪聲缺陷去除,為進一步辨識線狀缺陷打下基礎.

3、 提出了一種改進的異常因子計算方法,通過對數(shù)據(jù)集中每點都找到它的κ近鄰點,計算出κ近鄰離該點的平均距離,然后在以此距離為半徑的鄰域內(nèi)找到含有數(shù)據(jù)點的個數(shù)并求出它們的均值,將該值與當前點平均距離內(nèi)點的個數(shù)的比值作為κ近鄰異常因子,將該因子應用到硅晶片缺陷聚類分析中,通過實驗驗證所提方法的準確性和有效性. 研究了主曲線、多邊形線算法,提出用多邊形算法識別弧狀缺陷想法,討論了用擬牛頓法實現(xiàn)該算法的解決方案,針對硅片缺點模式分析中