氣相外延4H-SiC薄膜生長的研究.pdf

1、SiC材料具有許多優(yōu)良性質(zhì)，已成為國際上新材料、微電子和光電子領(lǐng)域研究的熱點。本文對同質(zhì)外延4H-SiC外延薄膜的生長進(jìn)行了研究。 本論文課題源自973國家項目，根據(jù)課題的具體要求，對4H-SiC外延薄膜生長進(jìn)行了深入的研究，通過理論與生長實驗的綜合分析來得到關(guān)于影響4H-SiC外延薄膜生長的關(guān)鍵因素。 首先介紹了幾種SiC外延薄膜的制備技術(shù)，進(jìn)行了優(yōu)缺點的比較。其中重點介紹了同質(zhì)外延，并對生長實驗所用到的熱壁化學(xué)氣相淀

2、積設(shè)備VP508的主要構(gòu)造和組件性能進(jìn)行了介紹。 然后研究了外延生長機理，分析了外延參數(shù)(如生長溫度、生長壓力、C/Si比、反應(yīng)氣流速度和生長面的選擇等)對生長的影響趨勢。并對如何衡量4H-SiC外延薄膜表面質(zhì)量進(jìn)行了初步分析，總結(jié)出幾個較為重要的衡量標(biāo)準(zhǔn)：外延薄膜厚度的均勻度、表面缺陷(特別是微管的存在數(shù)量與密度)和雜質(zhì)摻雜濃度。 最后具體分析了4H-SiC外延薄膜中生長工藝對生長的影響。重點分析了非有意摻雜中N型雜質(zhì)