基于FTIR技術(shù)的4H-SiC同質(zhì)外延材料的測(cè)試.pdf

1、本文基于4H-SiC同質(zhì)外延紅外反射譜，研究了材料厚度的測(cè)試方法。根據(jù)傳統(tǒng)的紅外干涉法，并結(jié)合SiC材料特有的介電常數(shù)模型，本論文改進(jìn)了傳統(tǒng)的測(cè)試方法。測(cè)試結(jié)果顯示，測(cè)試的相對(duì)誤差已經(jīng)由原來(lái)的9.2％降低到現(xiàn)在的0.26％。本文還研究了附加相移對(duì)于SiC厚度測(cè)試的影響，結(jié)果表明，附加相移的影響隨材料厚度的減小而增大，但是由于該影響主要存在于納米級(jí)，所以當(dāng)材料厚度為微米級(jí)或是更大時(shí)，附加相移的影響是可以忽略的。在改進(jìn)傳統(tǒng)算法的過(guò)程中，本文

2、依據(jù)厚度對(duì)干涉條紋級(jí)數(shù)的影響，提出了通過(guò)擬合條紋級(jí)數(shù)差來(lái)求解材料厚度的近似線(xiàn)性擬合算法，擬合算法所求出的結(jié)果和前面改進(jìn)算法的結(jié)果非常接近。
　　 結(jié)合多重光束干涉疊加算法和4H-SiC材料介電常數(shù)理論，本文完成了對(duì)紅外反射譜的全域擬合，并通過(guò)全域擬合同時(shí)求出外延層和襯底的載流子濃度和遷移率。本文最后研究了FTIR技術(shù)在Si襯底3C-SiC異質(zhì)外延中的應(yīng)用，雖然提取了外延厚度參數(shù)，但是由于等離子體振子頻率始終無(wú)法達(dá)到穩(wěn)定，所以最終