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文檔簡介
1、聚合物半導體具有優(yōu)異的光、電性能,在光電子領域有著廣泛的應用,是近年來研究的熱門課題之一。對聚合物半導體材料進行摻雜,利用供體-受體間的共振能量轉移(Resonance Energy Transfer,RET),可以有效改善聚合物發(fā)光二極管、聚合物太陽能電池、生物傳感器等光電子器件的工作性能。聚乙烯咔唑(PVK)是一種很好的激發(fā)態(tài)能量供體材料,可以與多種能量受體分子,如PPVs、三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3),發(fā)生共振能量轉移。在本論
2、文中,設計并合成出四種聚苯撐乙烯衍生物(PPVs),分別與PVK進行摻雜,制得一系列聚合復合物薄膜和納米顆粒,研究復合薄膜和納米顆粒中聚合物的帶隙、分子鏈構象、摻雜濃度等因素對其發(fā)光性質的影響。
第二章主要介紹單體和聚合物的合成。以對苯二酚為原料,通過取代反應和葉立德反應合成出1,4-二辛氧基苯、1,4-二溴甲基-2,5-二辛氧基苯和1,4-二溴甲基-2,5-二辛氧基苯鏻鹽,通過傅里葉紅外光譜、核磁共振譜對單體結構進行確認
3、。以1,4-二溴甲基-2,5-二辛氧基苯為原料單體,用Gilch縮聚反應合成出均聚物:聚(1,4-二辛氧基-對苯撐乙烯)(BO-PPV)。采用Wittig反應,磷鹽分別與對苯二甲醛、間苯二甲醛和鄰苯二甲醛聚合,獲得三種共聚物:聚(1,4-二辛氧基-對苯撐乙烯-alt-對苯撐乙烯)(p-PBO-PPV)、聚(1,4-二辛氧基-對苯撐乙烯-alt-間苯撐乙烯)(m-PBO-PPV)和聚(1,4-二辛氧基-對苯撐乙烯-alt-鄰苯撐乙烯)(o
4、-PBO-PPV)。
第三章主要研究了共聚結構對聚合物發(fā)光性質的影響。通過分析聚合物的光致發(fā)光(PL)譜、紫外-可見吸收光譜(UV-vis),可以看出共聚物的吸收峰和PL峰相對于均聚物發(fā)生顯著藍移,帶隙增大,分析了分子鏈構象與聚合物帶隙之間的關系。
第四章主要研究了PVK/PPVs復合薄膜的發(fā)光性質,研究聚合物的摻雜濃度和帶隙對復合薄膜的發(fā)光強度和共振能量轉移效率的影響。隨著m-PBO-PPV和p-PBO-P
5、PV摻雜濃度的增加,PVK的發(fā)光強度逐漸減弱,m-PBO-PPV和p-PBO-PPV的發(fā)光峰強度逐漸增強,能量轉移效率增大。由于m-PBO-PPV的吸收譜與PVK的發(fā)光譜交疊程度大,其復合薄膜中共振能量轉移效率較高。
第五章主要研究了PVK/PPVs復合納米顆粒的發(fā)光性質,利用熒光光譜和透射電鏡等手段研究摻雜濃度、共聚結構、分子構象等因素對復合納米顆粒中共振能量轉移的影響。隨著復合納米顆粒中m-PBO-PPV、p-PBO-
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