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1、太原理工大學(xué)碩士學(xué)位論文利用循環(huán)伏安法研究SiCl4電化學(xué)還原及多晶硅特征姓名:馬秋平申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專(zhuān)業(yè):@指導(dǎo)教師:孟慶森@太原理工大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文II20mlSiCl4中循環(huán)伏安曲線(xiàn)。掃描速度20mvs,峰電流密度-6.600mAcm2;掃描速度50mvs,電流密度-6.807mAcm2。當(dāng)溶液一定時(shí),峰電流與掃描速度的平方根成正比,即掃描速度快,峰電流就大。鎳(Φ18mm)為工作電極,30mlPC,0.5molLSiCl
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