2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，新工藝不斷出現(xiàn)，特征尺寸不斷減小，ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)面臨更多挑戰(zhàn)。因此深入研究GGNMOSESD防護(hù)特性及其影響因素成為必要。
　　本文利用混合仿真方法對(duì)GGNMOS器件在ESD脈沖下的瞬態(tài)特性進(jìn)行了仿真分析和研究。分析表明，ESD脈沖參數(shù)對(duì)防護(hù)特性的影響不可忽略，大的dV/dt對(duì)柵氧化層的可靠性造成威脅，同時(shí)也極大地影響了過(guò)沖電壓，論文研究并總結(jié)得到脈沖參數(shù)的影響規(guī)律;另外，通過(guò)改變深亞微米工藝條件和器

2、件結(jié)構(gòu)尺寸，分別研究了二者對(duì)GGNMOSESD防護(hù)特性的影響及作用機(jī)理，提出設(shè)計(jì)策略。文中還使用正交試驗(yàn)的方法分析了器件結(jié)構(gòu)尺寸對(duì)防護(hù)特性的影響程度，結(jié)合分析結(jié)果給出了GGNMOS的ESD防護(hù)特性優(yōu)化方案。
　　脈沖參數(shù)對(duì)防護(hù)特性影響規(guī)律的提出可以為ESD測(cè)試實(shí)驗(yàn)的條件設(shè)置和標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范提供依據(jù)，完整的瞬態(tài)響應(yīng)機(jī)制分析使得ESD保護(hù)研究者對(duì)GGNMOS在ESD情形下的物理機(jī)制和特性有更深入的理解，而深亞微米工藝條件和器件尺寸對(duì)防護(hù)特性

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