70%、50%陽(yáng)離子度低殘單、窄分布PDA制備工藝的初步研究.pdf

1、本文以工業(yè)品二甲基二烯丙基氯化銨(DMDAAC)及丙烯酰胺(AM)為原料，過(guò)硫酸銨(APS)和亞硫酸氫鈉(RH)為引發(fā)體系，研究了特定特征粘度和陽(yáng)離子度下低殘單、窄分布PDA產(chǎn)物的制備工藝。
　　 首先，以文獻(xiàn)和聚合反應(yīng)原理為基礎(chǔ)，以產(chǎn)物的相對(duì)分子質(zhì)量分布PDI和單體轉(zhuǎn)化率Conv.為指標(biāo)，通過(guò)對(duì)活潑單體和引發(fā)劑添加方式的探索實(shí)驗(yàn)。在得到了制備低殘單、窄分布PDA的較佳加料方式的基礎(chǔ)上，以單體轉(zhuǎn)化率為主要考核指標(biāo)，產(chǎn)物的特征粘度

2、和相對(duì)分子質(zhì)量分布次要考核指標(biāo)，對(duì)反應(yīng)溫度T1、單體質(zhì)量分?jǐn)?shù)wm％、引發(fā)劑用量wm％，初始陽(yáng)離子度(+)0％、助劑Na4EDTA用量wNa4EDTA％及反應(yīng)時(shí)間t1進(jìn)行了單因素優(yōu)化研究。
　　 其次，采用獲得的制備低殘單、窄分布PDA的較佳工藝條件，可制得[η]=1.486dL·g-1，Conv.=98.83％，PDI=2.108的70％陽(yáng)離子度PDA產(chǎn)物和[η]=1.538dL·g-1，Conv.=99.55％，PDI=1.7