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文檔簡介
1、該論文的研究課題是SiGe HBT器件的設計,主要工作包括兩個方面:一,晶體管的結構設計;二,基區(qū)緩沖層的設計.首先,我們利用ISE TCAD軟件對SiGe HBT的結構和性能進行了模擬,并結合實際的工藝條件對器件結構進行設計[3].理論表明,在縱向結構不變的情況下,如果提高工藝水平,減小器件的橫向尺寸,其性能就可以得到大幅度的提高.因此我們在原有樣品的基礎上對光刻版圖重新進行了設計.該課題研究的另一個重點是SiGe HBT緩沖層的設計
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