SiGe異質(zhì)結(jié)薄膜特性的研究.pdf

1、隨著薄膜制備工藝的迅速發(fā)展，各種材料的薄膜化已成為一種普遍趨勢(shì)?，F(xiàn)今，薄膜材料在材料領(lǐng)域中占據(jù)著越來(lái)越重要的地位。Si1-xGex合金薄膜異質(zhì)結(jié)材料是繼Si和GaAs之后的一種重要的半導(dǎo)體材料。在微電子器件和電路應(yīng)用方面，Si1-xGex合金薄膜材料不僅在頻率和速度上可以超越Si，而且在制作成本上大大低于GaAs，具有較高的性價(jià)比，因此上，Si/Ge材料在光電子領(lǐng)域中有著巨大的應(yīng)用前景。
　　在微電子領(lǐng)域，Si、Ge占有很重要的位

2、置，但由于晶體Si、Ge都是間接帶隙，從某種程度上，限制了Si、Ge材料在光學(xué)方面的廣泛應(yīng)用，因此上，對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的研究，進(jìn)一步的研究薄膜沉積工藝條件對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的影響具有非常重要的意義。
　　首先，本論文采用射頻磁控濺射的方法，在不同的濺射功率條件下制備了一系列的Ge薄膜樣品，利用掃描電子顯微鏡(SEM)、拉曼散射(Raman)、光致發(fā)光(PL)技術(shù)對(duì)所制備的薄膜樣品進(jìn)行表征。
　　其次，將所制備的Ge薄膜樣品經(jīng)過(guò)高溫退火