多晶硅納米膜表層鈍化的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、多晶硅納米膜憑借其優(yōu)良的壓阻特性及溫度穩(wěn)定性可廣泛應用于壓阻式傳感器，而表層鈍化的質(zhì)量是影響傳感器可靠性和穩(wěn)定性的重要因素，因此表層鈍化的改進對于傳感器性能的提高及實用化有重要意義。課題主要研究多晶硅納米薄膜的表層鈍化。
　　首先分析了多晶硅表層鈍化的原理和種類，并對幾種鈍化材料進行分析和比較，確定了利用低壓化學氣相淀積法(LPCVD)和等離子體氣相沉積法(PECVD)來制作含有二氧化硅，氮化硅的鈍化薄膜和利用旋轉(zhuǎn)涂覆的方法制作含

2、有聚酰亞胺樹脂的鈍化薄膜。
　　利用低壓化學氣相淀積法(LPCVD)在表面有熱氧化二氧化硅的(111)硅襯底上生長90nm厚多晶硅納米膜，采用原子力顯微鏡對多晶硅納米膜進行表征，納米膜的晶粒大小均勻；采用X射線衍射(XRD)表征多晶硅的結(jié)晶學結(jié)構(gòu)，得到多晶硅的XRD分析圖。
　　對表層鈍化理論的少子平均壽命與表面復合速率的關系進行分析，利用微波光電導衰減儀對制備的多晶硅鈍化樣品的少子平均壽命進行測量。并對所測量的少子壽命平均

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