減少180nm節(jié)點(diǎn)晶片表面污染物顆粒的優(yōu)化研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體器件尺寸的迅速縮小，化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝以其優(yōu)異的全局平坦化能力，已經(jīng)成為超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝之一。一般來(lái)說(shuō)，CMP后晶片存在的典型缺陷包括:弧形的刮痕(scratch)，表面污染物顆粒殘留(particle)，水痕(water mark)以及金屬的損傷(metal damage)等。
　　對(duì)于CMP后晶片表面污染物顆粒殘留缺陷，主要是因?yàn)檠心ズ笄逑聪到y(tǒng)過(guò)載，去除能力下降造成的。這些顆粒的產(chǎn)生與晶片等待

2、淀積二氧化硅的時(shí)間成正比。為了減少此類缺陷，本論文對(duì)生產(chǎn)線的產(chǎn)品生產(chǎn)程序進(jìn)行了有效更新，從而避免了此類缺陷的產(chǎn)生。
　　此外，本文還對(duì)某些產(chǎn)品在通孔鎢研磨(VIA WCMP)之后，晶片表面的顆粒進(jìn)行了分析研究。這些顆粒是源于在前一層金屬鋁蝕刻時(shí)，沒(méi)有對(duì)SPM(Scribelane Primary Mark，切割道對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)區(qū)域進(jìn)行遮擋而產(chǎn)生鋁的脫落，形成IMDCMP后SPM區(qū)域的巨大高度差，直接導(dǎo)致了VIA WCMP后SPM內(nèi)的金