典型元器件在高溫環(huán)境下參數(shù)變化機(jī)理研究.pdf

1、過(guò)高的溫度是電子設(shè)備可靠性不良的主要原因，在高溫環(huán)境下仍然能正常運(yùn)行的電子產(chǎn)品的研制開(kāi)發(fā)被視為這個(gè)世紀(jì)的關(guān)鍵技術(shù)之一。因此，研究典型電子元件在高溫工作條件下有效的試驗(yàn)方法和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試方法，通過(guò)在線測(cè)試研究電子元件在高溫環(huán)境力作用下的電性能參數(shù)變化規(guī)律，并結(jié)合有限元仿真，分析典型電子元件潛在的失效機(jī)理，進(jìn)而提出相應(yīng)的預(yù)防措施，對(duì)保證電子產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下高可靠性要求的實(shí)現(xiàn)有著重要意義。
　　本文選擇了高溫應(yīng)力場(chǎng)作為電子元器件研究環(huán)境

2、，通過(guò)對(duì)其特性進(jìn)行分析，確定以步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)為試驗(yàn)方法進(jìn)行研究。對(duì)于電子元器件在應(yīng)力場(chǎng)作用下的主要特征參數(shù)變化，設(shè)計(jì)相應(yīng)的測(cè)試電路來(lái)進(jìn)行測(cè)量。通過(guò)對(duì)測(cè)試電路的仿真分析，對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行驗(yàn)證和優(yōu)化設(shè)計(jì)。
　　對(duì)金屬膜電阻、片式電阻、鉭電容、片式電容等典型電子元件在高溫環(huán)境條件的特征參數(shù)進(jìn)行了試驗(yàn)，獲得了典型軍用電子元件高溫實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
　　基于高溫試驗(yàn)結(jié)果，對(duì)典型軍用電子元件在高溫條件下的參數(shù)變化規(guī)律和原因進(jìn)行了分析，對(duì)其溫度特性進(jìn)