采用MEMS技術(shù)研制硅脈象傳感器.pdf

1、本文研制的硅脈象傳感器是在硅杯的方形硅膜上采用MEMS技術(shù)制作四個(gè)P—MOSFETs溝道等效電阻組成惠斯通電橋，令兩個(gè)P—MOSFETs溝道等效電阻置于硅敏感膜邊緣的徑向位置，而另外兩個(gè)置于橫向位置。當(dāng)脈象傳感器接通電源后，對(duì)硅敏感膜施加壓力，電橋中兩個(gè)徑向的P—MOSFETs溝道等效電阻阻值增大，兩個(gè)橫向P—MOSFETs溝道等效電阻阻值減小，致使橋路失去平衡，產(chǎn)生了端電壓輸出，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)微小的脈搏信號(hào)的采集。 本文介紹了國

2、內(nèi)外脈象傳感器研究概況，詳細(xì)闡述了硅脈象傳感器的工作原理、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制造工藝，對(duì)實(shí)驗(yàn)研制的硅脈象傳感器的Ⅰ—Ⅴ特性、溫度特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試和靜態(tài)特性分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，研制的硅脈象傳感器靈敏度為162.26mv/100KPa，線性度為±2.01％，遲滯為±0.181％，重復(fù)性為±0.21％，準(zhǔn)確度是2.029％，符合設(shè)計(jì)要求。本課題采用P—MOSFET溝道等效電阻做壓敏電阻的結(jié)構(gòu)研制硅脈象傳感器，這種結(jié)構(gòu)有以下優(yōu)點(diǎn)：測(cè)量信號(hào)穩(wěn)定，溫度特